一. 技术性能指标
1. 主机
1.1物理指标
尺寸（mm）: 600(宽)×800(长)×1900(高) mm；
1.2电学指标
主极电压 2000V
主极电流 200A
控制极电压 20V
控制极电流 10A
最小电压分辨率: 1mV
最小电流分辨率: 100pA
测试速度： 5mS/参数
1.3可测试器件种类及参数
1) 二极管：DIODE
测试参数：IR、BVR、VF
2) 晶体管：TRANSISTOR（NPN型/PNP型）
测试参数：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)
3) 稳压（齐纳）二极管：ZENER
测试参数：IR、VZ MIN、VZ MAX、VF
4) MOS场效应管：POWER MOSFET（N-沟/P-沟）
测试参数：IDSS、IGSSF 、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON、VF、IDON、VGSON、RDSON、gFS
5) 结型场效应管：J-FET （N-沟/P-沟，耗尽型/增强型）
测试参数：IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS，IDSON、RDSON、gFS
6) 三端稳压器：REGULATOR（正电压/负电压，固定/可变）
测试参数：VOUT、IIN
7) 光电耦合器：OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）
测试参数：ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF
8) 可控硅整流器（普通晶闸管）：SCR
测试参数：IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、I GT、VGT、IL、IH
9) 双向可控硅 （双向晶闸管）：TRIAC
测试参数：IDRM IRRM、IGKO、VD+、VD- 、BVGKO、VT+ VT- 、I GT 1/2/3/4、VGT 1/2/3/4、IL+、IL- 、IH+、IH-
10) 绝缘栅双极大功率晶体管：IGBT（NPN型/PNP型）
测试参数：ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF
11) 继电器：RELAY
测试参数：RCOIL、VOPER、VREL、RCONT、OPTIME 、RELTIME(需加继电器适配器)
12) 压变电阻：VARISTOR
测试参数：ID+ ID- 、VC+ VC-
13) 达林顿阵列：DARLINTON
测试参数：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)
1.4可测试器件种类及参数
1) 二极管：DIODE
测试参数：IR、BVR、VF
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
IR | 0.10V to 2kV | 100nA to 50mA | 1nA | 1%+10nA+10pA/V |
BVR | 0.10V to 2kV | 100nA to 3A | 1mV | 1%+10mV |
VF
| 0.10V to 5.00V to 9.99V | IF: 10uA 200A | 1mV | VF: 1%+10mV IF: 1%+ 1nA |
2) 稳压二极管、齐纳二极管ZENER
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
IR | 0.10V to 2kV | 100nA to 50mA | 1nA | 1%+10nA+10pA/V |
BVZ VzMIN IR | 0.1V to 5.000V to 9.999V to 50.00V to 2kV BVZ Soak- 50V 0 to 50ms to 99sec | 10uA to 200A to 3A to 100mA to 50mA to 400mA to 80mA | 1mV | 1%+10mV |
VF
| 0.10V to 5.00V to 9.99V | IF:10uA to 200A | 1mV | V: 1%+10mV IF: 1%+ 1nA |
ZZ(1kHz) 0.1Ω to 20kΩ | 0.1V to 200VDC 50μV to 300mV RMS | 100μA to 500mA DC | 0.001Ω 1μV | 1%+1%量程 |
3) 晶体管：TRANSISTOR（NPN型/PNP型）
测试参数：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
ICBO ICEO/R/S/V IEBO | 0.10V to2kV 0.10V to 20V | 100nA to 50mA | 1nA
| 1%+1nA+10pA/V |
BVCEO (电流大于10mA， 脉冲宽度300us) BVCBO BVEBO | 0.10V to 2kV 0.10V to 2kV 0.10V to 20V | 100nA to 200mA to 100mA to 50mA 100nAto 3A | 1mV
| 1%+10mV
1%+10mV |
hFE (1 to 99,999)
| VCE: 0.10V to 9.99V to 49.9V | IC: 10uA to 200A IB: 1nA to 10A | 0.01hFE
| VCE: 1%+10mV IC: 1%+1nA IB: 1%+5nA |
VCESAT VBESAT VBE(VBEON) RE(间接参数) | VCE： 0.10V to 5.00V to 9.99V VBE：.10V to 9.99V | IE： to 200A IB：100nA to 10A | 1mV
| V：1%＋10mV IE：1%＋1nA IB：1%＋5nA |
4）MOS场效应管：POWER MOSFET（N-沟/P-沟）
测试参数：IDSS、IGSSF 、IGSSR、BVDSS、VGSTH、VDSON、VF、IDON、VGSON、RDSON、gFS
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
IDSS/V IGSSF IGSSR VGSF VGSR | 0.10V to 2kV 0.10V to 20V | 100nA to 50mA 100nA to 3A | 1nA | 1%+10nA+10pA/V |
BVDSS | 0.10V to 2kV | 100nA to 50mA | 1mV | 1%+100mV |
VGSTH | 0.10V to 10V | ID: 100uA to 3A | 1mV | 1%+ 10mV |
VDSON、VF(VSD) IDON、VGSON RDSON(混合参数) gFS (混合参数) | VD、VF： 0.10V to 5.00V to 9.99V VGS：0.10V to 9.99V | IF、ID：10uA to 200A IG：100nA to 10A | 1mV
| V： 1%+10mV IF、ID：1%+1nA IG： 1%+5nA |
5) 结型场效应管：J-FET （N-沟/P-沟，耗尽型/增强型）
测试参数：IGSS、IDOFF、IDGO、BVDGO、BVGSS、VDSON、VGSON、IDSS，IDSON、RDSON、gFS
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
IGSS IDOFF、IDGO | VGS:0.10V to 20V VDS:0.10V to 2kV | 100nAto 3A to 50mA | 1nA
| 1%+10nA+10pA/V |
BVDGO BVGSS | 0.10V to 2kV 0.10V to 20V | 100nA to 50 mA 100nA to 3A | 1mV | 1%+100mV 1%+10mV |
VDSON，VGSON IDSS，IDSON RDSON (混合参数) gFS (混合参数) | 0.10V to 5.00V to 9.99V | ID: 10uA to 200A IG：100nA to 10A | 1mV | V：1%+ 10mV ID：1%+1nA IG：1%+5nA |
VGSOFF | 0.10V to 10V | ID：100nAto 3A VD：0.10V to 50V | 1mV | 1%＋10mV |
6) 绝缘栅双极大功率晶体管：IGBT（NPN型/PNP型）
测试参数：ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
ICES IGESF IGESR | 0.10V to 2kV 0.10V to 20V | 100nAto 50mA 100nA to 3A | 1nA | 1%+10nA+10pA/V |
BVCES | 0.1V to 2kV | 100μA to 200mA To 100mA to 50mA | 1mV | 1%+100mV |
VGETH | 0.10V to 10V | 100nA to 3A | 1mV | 1%+10mV |
VCESAT ICON VGEON VF gFS (混合参数) | VCE:0.10V to 5.00V to 9.99V VGE: 0.10V to 9.99V | IC:10mA to 200A IF, IGE: 1nA to 10A | 1mV | V: 1%+10mV IF IC: 1%+1nA IGE: 1%+5nA |
7) 光电耦合器：OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型）
测试参数：ICOFF、ICBO、IR、BVCEO、BVECO、BVCBO、BVEBO、CTR、VCESAT、VSAT、VF
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
IR | 0.10V to 20V | 100nA to 50mA | 1nA | 1%+10nA+10pA/V |
VF | 0.10V to 20V | IF: 100nA to 10A | 1mV | 1%+10mV |
VOH VOL | 0.10V to 9.99V | 100nA to 49.9A | 1mV | 1%+10mV |
IFON IFOFF ITH+B ITH-B ITH+I ITH-I | 0.10V to 9.90V | 100nA to 10A | 1mV | 1%+10mV |
8) 双向触发二极管：DIAC
测试参数：IR、BVR、VF
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
IR | 0.10V 2kV | 100nA to 50mA | 1nA | 1%+10nA+10pA/V |
BVR | 0.10V to 2kV | 100nA to 3A | 1mV | 1%+10mV |
VF
| 0.10V to 5.00V to 9.99V | IF: 10uA to 200A | 1mV | VF: 1%+10mV IF: 1%+ 1nA |
9) 继电器：RELAY
测试参数：RCOIL、VOPER、VREL、RCONT、OPTIME 、RELTIME
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
RCOIL 1Ω to 10kΩ | 2.50V to 999V | 10mA to 3A | 0.001Ω | 1%+1%量程 |
VOPER |
| 0.1V | 1% + 0.1V | |
VREL | 100mV to 49.9V |
| 0.1V | 1% + 0.1V |
RCONT (10mΩ to 10kΩ) | 10mA to 9.90A | 0.001Ω | 1%+1%量程 | |
OPTIME / RELTIME ( 100us to 65ms) |
| 1us | 1%+1%量程 |
10) 可控硅（普通晶闸管）：SCR
测试参数：IDRM、IRRM、IGKO、VDRM、VRRM、BVGKO、VTM、IGT、VGT、IL、IH
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
IDRM、IRRM、 IGKO | 0.10V to 2kV 0.10V to 20V | 100nA to 50mA 100nA to 3A | 1nA(1pA)（2）
| 1%+10nA+10pA/V |
VDRM、VRRM BVGKO | 0.10V to 2kV 0.10V to 20V | 100nA to 50mA 100nA to 3A | 1mV 1mV | 1%+100mV 1%+ 10mV |
VTM
| 0.10V to 5.00V to 9.99V | 10μA to 200A | 1 mV
| VT：1%+10mV IT： 1%+1nA |
I GT VGT
| VD: 5V to 49.9V VGT:0.10V to 20V VT:100mV to 49.9V | IGT: 100nA to 3A RL: 12Ω、30Ω、100Ω、 EXT | 1 mV 1nA
| 1%+10mV 1%+ 5nA |
IL (间接参数) | VD：5V to 49.9V
| IL: 100μA to 3A IGT: 100nA to 3A RL: 12Ω,30Ω,100Ω,EXT | N/A | N/A
|
IH
| VD：5V to 49.9V
| IH: 10uA to 1.5A IGT: 100nA to 3A RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT (IAK初值由RL设置 ) | 1uA | 1%+2uA |
11) 达林顿阵列：DARLINTON
测试参数：ICBO、ICEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESAT、VBE(VBEON)
电参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
ICBO ICEO/R/S/X IEBO | 0.10V to 2kV 0.10V to 20V | 100nAto 50mA 100nA to 3A | 1nA
| 1%+10nA+20pA/V |
BVCEO/R/E/S (10mA 以上使用300us 脉冲) BVCBO BVEBO | 0.10V to 2kV 0.10V to 20V | 100nA to 200mA to 100mA to 50mA 100nA to 50mA 100nA to 3A | 5mV
| 1%+100mV 1%+10mV |
hFE (1 to 99,999) | VCE:0.10V to 49.9V | IC:10uA to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4) to 3A IB: 100nA to 10A | 0.01hFE | VCE: 1%+10mV IC: 1%+100nA IB: 1%+5nA |
VCESAT, VBESAT VBE(VBEON) | VCE:0.10V to 9.99V VBE:0.10V to 9.99V | IE:10uA to 200A IB: 100nA to 10A | 5mV | V: 1%+10mV IE:1%+100nA IB:1%+5nA |
1.5技术特征
该系统产品为供方引进的合作技术项目，功率电源等方面采用新的航天技术做了改进，各项技术指标同于最新进口美国产品，测试稳定性、可靠性高于进口产品，故障率明显低于进口产品。代表了目前国际先进技术水平。具有下面特征：
* 采用32位嵌入式计算机，运行速度快，扩展能力强，实现脱机运行；
* 采用高速16位并行D/A、A/D和专用并行内部总线技术设计，速度快、稳定性高；
* 采用脉冲法测试参数、脉宽可为300μS，占空比可达1/3000以上；
* 采用多级开尔文技术，系统稳定性高，测试结果准确，重复性好；
* 在线系统状态、测试结果、故障定位显示功能，使得使用方便简单；
* 完整的系统自检、校准能力，10分钟将系统故障定位到元件级，30分钟完成系统精度检测；
* 完整的软、硬件升级/扩展功能；
* DUT引腿接触性测试、加压限流能力、A-K短路保护、过压/过流保护等能力，保证了系统安全，有效防止DUT损伤；
* 关键元器件均采用进口原装，精密电阻采用国产军级，全部采用进口原装湿型继电器，装焊工艺现已采用航天工艺线代工，保证系统可靠性高于进口产品；
* 二极管极性自动判别功能，不需人工关注极性，提高操作速度，减少失误；
* 填表式编程，3分钟内即可完成一个新器件编程；
* 混合参数编程方式，使电参数测试编程不受器件类别的限制，支持技术人员实现分析编程；
* 单参数测试延时功能，用户可根据需要选择参数测试延迟时间，增加参数测试稳定性；
* 提供系统内部流性负载、阻性负载选择和外部负载接口，最大极限地满足测试需求；
* 计算步功能，允许将任意测试程序步的测试结果列式计算，形成新的参数，方便新参数定义；
* 分类、分档功能，以便通过编程确定DUT的同异性，测试后自动分类、分档、配对等，提高
DUT使用价值；
* 单步测试功能，用于对单个参数进行测试，同时将测试结果值在前面板上显示，方便在线分析；
* 完整的其它后测试处理能力；
* 所有测试夹具进行了误差补偿和噪声拟制设计